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Passivation of Al/Si interface by chemical treatment: Schottky barrier height and plasma etch induced defects
Articolo
Data di Pubblicazione:
2002
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Gombia, Enos
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/49593
Pubblicato in:
DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID STATE DATA. PART B, SOLID STATE PHENOMENA
Journal
