Experimental and theoretical analysis of dopant activation in double implanted silicon by pulsed laser thermal annealing

Contributo in Atti di convegno
Data di Pubblicazione:
2009
Tipologia CRIS:
04.01 Contributo in Atti di convegno
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/201929