Wide bandgap high-density semiconductor switching device and manufacturing process thereof

Brevetto
Data di Pubblicazione:
2014
Tipologia CRIS:
06.01 Brevetto di invenzione industriale
Keywords:
Schottky contact; metal layer; wide band gap (WBG); power device
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/321163