Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient

Poster
Data di Pubblicazione:
2005
Tipologia CRIS:
04.03 Poster in Atti di convegno
Keywords:
wide band gap semiconductors; 4H-SiC; ion implanted diodes; lekage currents
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/86697