Proprietà elettroottiche di strati di indium tin oxide (I.T.O.) depositati per evaporazione termica in vuoto

La vasta applicazione di film conduttori e trasparenti giustifica la ricerca di una tecnica di deposizione semplice ed economica, quale l'evaporazione termica in vuoto. Nel presente lavoro viene effettuata un'ottimizzazione di tale tecnica per la crescita di film sottili di Indium Tin Oxide (16% In2O3, 84% SnO2) . Successivamente vengono analizzate le proprietà elettroottiche di tali film ossidati con due diverse tecniche di annealing.