Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Articolo
Data di Pubblicazione:
2014
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/227129
Pubblicato in:
APPLIED PHYSICS LETTERS
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