Defect engineering via ion implantation to control B diffusion in Si

Articolo
Data di Pubblicazione:
2009
Abstract:
[object Object]
Tipologia CRIS:
01.01 Articolo in rivista
Keywords:
Boron; Cavities; Hall Effect; Ion implantation; SIMS; TEM
Elenco autori:
Autori di Ateneo:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/307113
Pubblicato in:
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
Journal