ON THE CONNECTION BETWEEN INTERSTITIAL OXYGEN, OXYGEN PRECIPITATE, AND DIFFUSIONS OF CR AND CU IMPURITIES IN CZ SILICON

Articolo

Data di Pubblicazione:

1991

Tipologia CRIS:

01.01 Articolo in rivista

Keywords:

INDUCED RECOMBINATION CENTERS; HEAT-TREATED SILICON; 600-DEGREES-C; RESISTIVITY

Elenco autori:

Autori di Ateneo:

POGGI ANTONELLA

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Pubblicato in:

Journal