Complementary DSL, EBIC and PL study of grown-in defects in Si-doped GaAs crystals grown under Ga- and As-rich conditions by LEC method
Abstract
Data di Pubblicazione:
1989
Tipologia CRIS:
04.02 Abstract in Atti di convegno
Keywords:
GaAs; defects; EBIC; photoetching
Elenco autori:
Frigeri, Cesare
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Titolo del libro:
Abstract book