Spatially resolved study of dislocations in Si-doped LEC GaAs by DSL, PL and EBIC

Abstract
Data di Pubblicazione:
1991
Tipologia CRIS:
04.02 Abstract in Atti di convegno
Keywords:
GaAs; LEC; EBIC; DSL; PL
Elenco autori:
Link alla scheda completa:
https://iris.cnr.it/handle/20.500.14243/116713
Titolo del libro:
Abstract book