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TECHNICAL DIGEST / INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING
Rivista
Codice:
E165233
ISSN:
0163-1918
Dati Generali
Dati Generali
Pubblicazioni (3)
A modified Schottky model for graphene-semiconductor (3D/2D) contact: A combined theoretical and experimental study
Articolo
Fundamental diffusion issues for deep-submicron device processing
Contributo in Atti di convegno
Two-dimensional transistors based on MoS2 lateral heterostructures
Contributo in Atti di convegno
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